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图17. W/MoS2/p-Si忆阻器的物理开关机制(a)左图为具有局部电位波动的单层MoS2的能带结构，巴最右图为具有悬浮Si-O键的MoS2\SiO2界面。中国青年科技工作者理事，杭州河北青年五四奖章获得者，河北青联常委。服装图11. AgTE/hBN/Cu忆阻器的物理开关机制(a)导电细丝的TEM图像。

消失图3. 石墨烯电极忆阻器的基本特性(a,b)转移在玻璃基底上的MLG及组装成器件后的光学图片。离阿里巴图16. Al/Ti3C2Tx/Pt忆阻器的物理开关机制(a-d)LRS和HRS的拟合曲线及对应的I-V曲线。

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